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APT20GF120BRDQ1G Spécifications techniques
IGBT 1200V 36A 200W TO247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
Switching Energy | 895µJ (on), 840µJ (off) |
Power - Max | 200W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 64A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 10ns/120ns |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 100nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 36A |
APT20GF120BRDQ1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Modules IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistors - IGBT - Simple | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs simples | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2632 |
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