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APT20M22B2VRG
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APT20M22B2VRG Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS V® |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 435nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
APT20M22B2VRG Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Modules IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistors - IGBT - Simple | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs simples | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2632 |
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