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APT20SCD120B Spécifications techniques
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Supplier Device Package | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | - |
Mounting Type | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 400µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | 1135pF @ 0V, 1MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | - |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 68A (DC) |
APT20SCD120B Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Modules IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistors - IGBT - Simple | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs simples | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2632 |
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