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APT25M100J Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 545W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 305nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9835pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
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