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APT25SM120B Spécifications techniques

POWER MOSFET - SIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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APT25SM120B fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, APT25SM120B prix de référence. APT25SM120B paramètres, APT25SM120B Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le APT25SM120B Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver APT25SM120B schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, APT25SM120B tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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