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APT45GR65BSCD10 Spécifications techniques
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 543W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 224A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 203nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 118A |
APT45GR65BSCD10 Documents
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Feuilles de données
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