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APT9F100S Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Supplier Device Package | D3Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2606pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 337W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
APT9F100S Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT9F100B | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 538 |
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