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APTC90DAM60CT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA
Supplier Device Package SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 52A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 462W (Tc)
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A
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