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APTGT200DH120G Spécifications techniques
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | SP6 |
Package / Case | SP6 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 280A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Power - Max | 890W |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 350µA |
Configuration | Asymmetrical Bridge |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTGT100A120TG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | Modules IGBT |
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