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APTML20UM18R010T1AG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package SP1
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 109A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9880pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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