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DME375A Spécifications techniques

TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package 55AW
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.025GHz ~ 1.15GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 875W
Package / Case 55AW
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 6.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 300mA, 5V
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
DME375A Microsemi Corporation Transistors RF BJT

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