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JAN2N6849U Spécifications techniques
MOSFET P-CH 18-LCC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Military, MIL-PRF-19500/564 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Package / Case | 18-BQFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
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