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JANTXV2N5014
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JANTXV2N5014 Spécifications techniques
NPN TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Supplier Device Package | TO-5 |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Series | Military, MIL-PRF-19500/727 |
Power - Max | 1W |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
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