MDS500L Spécifications techniques

TRANS RF BIPO 833W 24A 55ST1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
Supplier Device Package 55ST
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.03GHz ~ 1.09GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 24A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 833W
Package / Case 55ST
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 9.2dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
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