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MDS60L Spécifications techniques

TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package 55AW
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.03GHz ~ 1.09GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 120W
Package / Case 55AW
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 10dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
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MDS60L fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, MDS60L prix de référence. MDS60L paramètres, MDS60L Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MDS60L Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MDS60L schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MDS60L tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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