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MRF8372R2 Spécifications techniques
TRANS NPN 16V 200MA SO8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 870MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 2.2W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8dB ~ 9.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 5V |
MRF8372R2 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MRF837 | MOTO | Circuits intégrés spécialisés | 3662 |
MRF8372 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2765 |
MRF8372 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF8372G | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2507 |
MRF8372G | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF8372GR1 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2524 |
MRF8372GR1 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF8372GR2 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2782 |
MRF8372GR2 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF8372MR1 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 3100 |
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