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MS2212 Spécifications techniques

TRANS RF BIPO 50W 1.8A M222

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package M222
Packaging Bulk
Operating Temperature 250°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 1.8A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 50W
Package / Case M222
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 8.1dB ~ 8.9dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 500mA, 5V
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