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2N3501UB
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2N3501UB Spécifications techniques
TRANS NPN 150V 0.3A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Transistor Type | NPN |
Series | Military, MIL-PRF-19500/366 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
Supplier Device Package | UB |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | 3-SMD, No Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N3500 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1493 |
2N3500 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N3500L | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2796 |
2N3500L | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N3501 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1358 |
2N3501 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 4263 |
2N3501 | Microsemi Corporation | Transistors BJT simples | |
2N3501 IC | SSI Technologies, Inc. | Circuits intégrés spécialisés | 1668 |
2N3501 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistors BJT simples | |
2N3501L | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2673 |
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