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2N5115UB Spécifications techniques
P CHANNEL JFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - JFET |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 1nA |
Supplier Device Package | UB |
Resistance - RDS(On) | 100 Ohm |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30V |
Series | Military, MIL-PRF-19500 |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | 3-SMD, No Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
FET Type | P-Channel |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60mA @ 15V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5114 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - JFET | 2983 |
2N5114 | Microsemi | Transistors - JFET | 2974 |
2N5114 | Vishay / Siliconix | Transistors - JFET | 587 |
2N5114 | Vishay Siliconix | Transistors JFETs | |
2N5114 | Microsemi Corporation | Transistors JFETs | |
2N5114-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - JFET | 2623 |
2N5114-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - JFET | 2520 |
2N5114-E3 | Vishay Siliconix | Transistors JFETs | |
2N5114JAN02 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - JFET | 2522 |
2N5114JAN02 | Vishay / Siliconix | Transistors - JFET | 2715 |
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