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2N5431 Spécifications techniques

THROUGH-HOLE UJT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors à Unijonction Programmables
Manufacturer Central Semiconductor Corp
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Transistor Element Material SILICON
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Subcategory Unijunction Transistors
Terminal Form WIRE
JESD-30 Code O-MBCY-W3
Operating Temperature (Min) -65°C
Configuration SINGLE
Power Dissipation-Max (Abs) 0.36W
Current - Valley (Iv) 2mA
Intrinsic Stand-off Ratio-Max 0.8
Static Inter-base Res-Max 8.5 kΩ
Valley Point Current-Min 2mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount NO
Published 2000
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
Operating Temperature (Max) 125°C
Number of Elements 1
Voltage - Output 1V
Current - Peak 400nA
Inter-base Voltage-Max 35V
Intrinsic Stand-off Ratio-Min 0.72
Static Inter-base Res-Min 6 kΩ
Emitter Current-Max 50mA
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
2N5430 Microsemi Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple 2516
2N5430 Microsemi Corporation Transistors BJT simples
2N5432 Original Circuits intégrés spécialisés 2622
2N5432-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - JFET 2608
2N5432-2 Vishay / Siliconix Transistors - JFET 2590
2N5432-2 Vishay Siliconix Transistors JFETs
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2N5433 Vishay / Siliconix Transistors - JFET 583
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