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2SD2016 Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Sanken Electric Co., Ltd. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 25W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.5mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-220F |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 90MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
2SD2016 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2SD200 | PANA | Circuits intégrés spécialisés | 516 |
2SD2000 | Panasonic | Circuits intégrés spécialisés | 2552 |
2SD20000P | Panasonic | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2701 |
2SD2005 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 2714 |
2SD2005-Q | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 599 |
2SD2008 | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3311 |
2SD2009 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 3400 |
2SD2009T105 | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 10000 |
2SD2010 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3324 |
2SD2010T105P | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3248 |
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