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ALD212904PAL
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ALD212904PAL Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Advanced Linear Devices, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
Series | EPAD®, Zero Threshold™ |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-PDIP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
ALD210800APCL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2646 |
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ALD210800SCL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2603 |
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