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APT100GT120JR Spécifications techniques
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Power - Max | 570W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
Configuration | Single |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Series | Thunderbolt IGBT® |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.7nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 123A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT1001R1BN | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 642 |
APT1001R2HN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2982 |
APT1001R3BN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 6948 |
APT1001R6BN | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2845 |
APT1001RBLC | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2879 |
APT1001RBN | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 12388 |
APT1001RBNR | IXYS | Circuits intégrés spécialisés | 2686 |
APT1001RBVFR | APTMICROSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 2360 |
APT1001RBVFRG | APT | Circuits intégrés spécialisés | 2464 |
APT1001RBVR | APT | Circuits intégrés spécialisés | 19 |
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