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APT15DQ120KG Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 15A |
Supplier Device Package | TO-220 [K] |
Reverse Recovery Time (trr) | 240ns |
Package / Case | TO-220-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 15A |
APT15DQ120KG Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT150GN120J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2267 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1405 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT150GN60B2G | Microsemi | Transistors - IGBT - Simple | 2505 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs simples | |
APT150GN60J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2925 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1410 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT |
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