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APT30M19JVR
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APT30M19JVR Spécifications techniques
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS V® |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 975nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A |
APT30M19JVR Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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APT30D100B | APT | Modules IGBT | 767 |
APT30D100BCA | APT | Modules IGBT | 2633 |
APT30D100BCAG | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2644 |
APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | Réseau de diodes redresseuses | |
APT30D100BCT | APT | Modules IGBT | 1816 |
APT30D100BCTG | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 14248 |
APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | Réseau de diodes redresseuses | |
APT30D100BG | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 1403 |
APT30D100BG | Microsemi Corporation | Redresseur à Diode Monophasé |
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