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APTCV60HM70RT3G Spécifications techniques
POWER MOD FULL BRIDGE SP3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | SP3 |
Package / Case | SP3 |
NTC Thermistor | Yes |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Power - Max | 250W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Single Phase Bridge Rectifier |
Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
Configuration | Full Bridge Inverter |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APTCV40H60CT1G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2565 |
APTCV40H60CT1G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTCV50H60T3G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2663 |
APTCV50H60T3G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2526 |
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APTCV60HM45BT3G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2575 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
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APTCV60HM45RCT3G | Microsemi Corporation | Modules IGBT |
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