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APTGTQ200A65T3G Spécifications techniques
POWER MODULE - IGBT
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Supplier Device Package | SP3F |
Package / Case | Module |
NTC Thermistor | Yes |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input | Standard |
Detailed Description | IGBT Module Half Bridge 650V 200A 483W Chassis Mount SP3F |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
Power - Max | 483W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 12nF @ 25V |
IGBT Type | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
Configuration | Half Bridge |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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