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APTM100A46FT1G Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 552 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP1
Power - Max 357W
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A
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APTM100A46FT1G fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, APTM100A46FT1G prix de référence. APTM100A46FT1G paramètres, APTM100A46FT1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le APTM100A46FT1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver APTM100A46FT1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, APTM100A46FT1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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