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APTM100DDA35T3G Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Power - Max 390W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A
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APTM100DDA35T3G fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, APTM100DDA35T3G prix de référence. APTM100DDA35T3G paramètres, APTM100DDA35T3G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le APTM100DDA35T3G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver APTM100DDA35T3G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, APTM100DDA35T3G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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