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APTM100TDU35PG Spécifications techniques

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6-P
Power - Max 390W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A
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APTM100TDU35PG fabricants de marques: Microsemi, Bonchip action, APTM100TDU35PG prix de référence. APTM100TDU35PG paramètres, APTM100TDU35PG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le APTM100TDU35PG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver APTM100TDU35PG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, APTM100TDU35PG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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