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CSD18536KCS Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11430pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta)
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