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CSD19501KCS Spécifications techniques

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 217W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
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