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DG2535EDN-T1-GE4
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DG2535EDN-T1-GE4 Spécifications techniques
IC ANALOG SWITCH DUAL 10QFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Interface - Commutateurs analogiques, Multiplexeurs, Démultiplexeurs |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply, Single (V+) | 1.65 V ~ 5.5 V |
Switch Time (Ton, Toff) (Max) | 78ns, 58ns |
Supplier Device Package | 10-DFN (3x3) |
Package / Case | 10-VFDFN Exposed Pad |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Number of Circuits | 2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Leakage (IS(off)) (Max) | - |
Charge Injection | - |
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)) | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply, Dual (V±) | - |
Switch Circuit | SPDT |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | DG2535EDN-T1-GE4-ND DG2535EDN-T1-GE4TR |
On-State Resistance (Max) | 500 mOhm |
Multiplexer/Demultiplexer Circuit | 2:1 |
Manufacturer Standard Lead Time | 15 Weeks |
Detailed Description | 2 Circuit IC Switch 2:1 500 mOhm 10-DFN (3x3) |
Crosstalk | -90dB @ 100kHz |
Channel-to-Channel Matching (ΔRon) | 60 mOhm |
-3db Bandwidth | 120MHz |
DG2535EDN-T1-GE4 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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DG2531DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Commutateurs analogiques et multiplexeurs CI | |
DG2532DQ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Interface - Commutateurs analogiques, Multiplexeurs, Démultiplexeurs | 2590 |
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DG2532DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | Commutateurs analogiques et multiplexeurs CI | |
DG2535DN-T1-E4 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Interface - Commutateurs analogiques, Multiplexeurs, Démultiplexeurs | 2621 |
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