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IXFX180N10 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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IXFX180N10 fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFX180N10 prix de référence. IXFX180N10 paramètres, IXFX180N10 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFX180N10 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFX180N10 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFX180N10 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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