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IXGK100N170
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IXGK100N170 Spécifications techniques
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | IXYS |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 28 Weeks |
Package / Case | TO-264 |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 830W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.7kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 720 ns |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Turn-Off Delay Time | 285 ns |
Max Collector Current | 600A |
Turn On Time | 285 ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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Feuilles de données
D'autres incluent "IXGK1" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXGK120N120A3 | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Simple | 374 |
IXGK120N120A3 | IXYS | IGBTs simples | |
IXGK120N120B3 | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Simple | 2683 |
IXGK120N120B3 | IXYS | IGBTs simples | |
IXGK120N60 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 2809 |
IXGK120N60B | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Simple | 2955 |
IXGK120N60B | IXYS | IGBTs simples | |
IXGK120N60B3 | IXYS | IGBTs simples | |
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