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JAN1N5420 Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
Package / Case | B, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Series | Military, MIL-PRF-19500/411 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
JAN1N5420 Documents
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