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JANTX1N5809US Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Series | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
JANTX1N1184 | Microsemi | Circuits intégrés spécialisés | 2204 |
JANTX1N1184R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2609 |
JANTX1N1185R | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2812 |
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JANTX1N1186R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2505 |
JANTX1N1188R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2513 |
JANTX1N1189R | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2700 |
JANTX1N1190 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2683 |
JANTX1N1190R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2681 |
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