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JANTXV2N6790
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JANTXV2N6790 Spécifications techniques
MOSFET N-CH
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Military, MIL-PRF-19500/555 |
Power Dissipation (Max) | 800mW (Tc) |
Package / Case | TO-205AF Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
JANTXV2N6790 Documents
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