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MRF555GT Spécifications techniques
RF NPN TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
Power - Max | 3W |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Frequency - Transition | 470MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Operating Temperature | - |
Gain | 12.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 5V |
MRF555GT Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MRF553 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2552 |
MRF553 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF553G | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2735 |
MRF553G | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF553GT | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2523 |
MRF553GT | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF553T | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2671 |
MRF553T | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF555 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2608 |
MRF555 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT |
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