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MS1007 Spécifications techniques
TRANS RF BIPO 233W 10A M174
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Supplier Device Package | M174 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 30MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 233W |
Package / Case | M174 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 14dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 18 @ 1.4A, 6V |
MS1007 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MS1000 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MS1001 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2775 |
MS1001 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MS1001A | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2501 |
MS1001A | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MS1002 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 11039 |
MS1003 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2771 |
MS1003 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MS1004 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2604 |
MS1004 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT |
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