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MWI50-12E7 Spécifications techniques
MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | E2 |
Package / Case | E2 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.8nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 90A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Power - Max | 350W |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 800µA |
Configuration | Three Phase Inverter |
MWI50-12E7 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MWI50-06A7 | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2729 |
MWI50-06A7 | IXYS | Modules IGBT | |
MWI50-06A7T | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2933 |
MWI50-06A7T | IXYS | Modules IGBT | |
MWI50-06AT7 | IXYS | Modules IGBT | 2879 |
MWI50-12A7 | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2897 |
MWI50-12A7 | IXYS | Modules IGBT | |
MWI50-12A7T | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2850 |
MWI50-12A7T | IXYS | Modules IGBT | |
MWI50-12E6K | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2859 |
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