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NTHD4401PT3G
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NTHD4401PT3G Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | ChipFET™ |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTHD40102PT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
NTHD4102PT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 13722 |
NTHD4102PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5433 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTHD4102PT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3400 |
NTHD4102PT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2750 |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTHD4401PT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2507 |
NTHD4401PT1 | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTHD4401PT1 | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays |
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Atténuateurs
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