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PDTA123JMB,315
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PDTA123JMB,315 Spécifications techniques
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 3-XFDFN |
Frequency - Transition | 180MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | 3-DFN1006B (0.6x1) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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PDTA113EE,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
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PDTA113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
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PDTA113EM,315 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
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