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PDTC123YS,126 Spécifications techniques

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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