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PDTD143XQAZ
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PDTD143XQAZ Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 325mW |
Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
Frequency - Transition | 210MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PDTD113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2794 |
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTD113EQAZ | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2794 |
PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTD113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2741 |
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés | |
PDTD113ET | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
PDTD113ET ,215 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 596 |
PDTD113ET,215 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2705 |
PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistors BJT pré-polarisés |
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