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PHT6N06T,135 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 8.3W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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