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PMGD290XN,115
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PMGD290XN,115 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Series | TrenchMOS™ |
Power - Max | 410mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
PMGD290XN,115 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMGD280UN | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 2219 |
PMGD280UN ,115 | NEXP | Circuits intégrés spécialisés | 3287 |
PMGD280UN IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 5727 |
PMGD280UN MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 18905 |
PMGD280UN,115 | Nexperia | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 17760 |
PMGD280UN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMGD280UN115 | SOT23-5 | Circuits intégrés spécialisés | 3400 |
PMGD290UCEA | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 3304 |
PMGD290UCEA,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 3600 |
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