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PUMH13F Spécifications techniques
PUMH13/SOT363/SC-88
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | Nexperia USA Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Active |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Current-Max (IC) | 0.1A |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
PUMH13F Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PUMH1 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 6698 |
PUMH1,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2720 |
PUMH1,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH1/DG/B2 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 56720 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2656 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH1/ZLX | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH10 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 177456 |
PUMH10 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 66296 |
PUMH10,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2726 |
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