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PUMH9/ZLH Spécifications techniques
PUMH9/ZLH
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | Nexperia USA Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Surface Mount | YES |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 6 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Position | DUAL |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Number of Elements | 2 |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Current-Max (IC) | 0.1A |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
PUMH9/ZLH Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PUMH9 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 104018 |
PUMH9 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 250443 |
PUMH9,115 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2591 |
PUMH9,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH9,125 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2613 |
PUMH9,125 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH9,135 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2796 |
PUMH9,135 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT | |
PUMH9,165 | Nexperia | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2725 |
PUMH9,165 | Nexperia USA Inc. | Arrays de transistors BJT |
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