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S34ML08G201BHA000
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S34ML08G201BHA000 Spécifications techniques
IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND |
Series | Automotive, AEC-Q100, ML-2 |
Package / Case | 63-VFBGA |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 8Gb (1G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 63-BGA (11x9) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 63-BGA (11x9) |
Packaging | Tray |
Other Names | 428-4270 S34ML08G201BHA000-ND S34ML08G201BHA000Z |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
S34ML08G201BHA000 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
S34ML01G100BHA000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 0 |
S34ML01G100BHA003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2752 |
S34ML01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2606 |
S34ML01G100BHB000 | Cypress Semiconductor Corp | Mémoire | |
S34ML01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2786 |
S34ML01G100BHI00 | SPANSION | Circuits intégrés spécialisés | 2550 |
S34ML01G100BHI00 IC | Spansion (Cypress Semiconductor) | Circuits intégrés spécialisés | 723 |
S34ML01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 31062 |
S34ML01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Mémoire | |
S34ML01G100BHI000 IC | Spansion (Cypress Semiconductor) | Circuits intégrés spécialisés | 681 |
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